#2587227
Indiam neamhshaoirsithe; púdair indiam
Unwrought indium; indium powders
Indiam neamhshaoirsithe; púdair indiam
Unwrought indium; indium powders
indiam;
indium;
Indiam
Indium
d. “Comhdhúile III/V” de ghailliam nó d’indiam.
d. “III/V compounds” of gallium or indium.
alúmanam, gailliam, indiam, arsanaic, fosfar, antamóin, nó nítrigin;
aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
d."Comhdhúile III/V" de ghailliam nó d’indiam.
d."III/V compounds" of gallium or indium.
d. ‘Comhdhúile III/V’ gailliam nó indiam.
d. "III/V compounds" of gallium or indium.
Comhdhúile orgána-mhiotalacha alúnanaim, gailliam nó indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999%;
Fuíoll haifniam, indiam, niaibiam, réiniam agus gailliam
Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhemium and Gallium
Fuíoll haifniam, indiam, niaibiam, réiniam agus gailliam
Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhenium and Gallium
cion nach mó ná 10 % de cheann amháin nó níos mó de na miotail airgead, copar, biosmat, sinc, nó indiam
not more than 10 % of one or more metals of silver, copper, bismuth, zinc, or indium
d. ‘Comhdhúile III/V’ gailliam nó indiam.
d. "III/V compounds" of gallium or indium.
Comhdhúile orgána-mhiotalacha alúnanaim, gailliam nó indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Fuíoll haifniam, indiam, niaibiam, réiniam agus gailliam
Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhenium and Gallium
Indiam
Indium
indiam;
indium;
Indiam agus earraí díobh (seachas indiam neamhshaoirsithe, dramhaíl agus fuíoll agus púdair) n.e.c.
Indium and articles thereof (other than unwrought, waste and scrap and powders) n.e.c.
Earraí gailliam, indiam agus vanaidiam (seachas earraí neamhshaoirsithe, dramhaíl agus fuíoll agus púdair) n.e.s.
Articles of gallium, indium and vanadium (other than unwrought, waste and scrap and powders), n.e.s.
cion nach mó ná 10 % de cheann amháin nó níos mó de na miotail airgead, copar, biosmat, sinc, nó indiam
not more than 10 % of one or more metals of silver, copper, bismuth, zinc, or indium
d. ‘Comhdhúile III/V’ gailliam nó indiam.
d. "III/V compounds" of gallium or indium;
Comhdhúile orgána-mhiotalacha alúnanaim, gailliam nó indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
d. ‘Comhdhúile III/V’ gailliam nó indiam.
d. "III/V compounds" of gallium or indium;
Comhdhúile orgána-mhiotalacha alúnanaim, gailliam nó indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
Indiam
Indium
Gailliam; indiam; vanaidiam
Gallium; indium; vanadium
Niabiam (colaimbiam); réiniam; gailiam; indiam; vanaidiam; gearmáiniam
Niobium (columbium); rhenium; gallium; indium; vanadium; germanium
Indiam
Indium
Gailliam; indiam; vanaidiam
Gallium; indium; vanadium
cion nach mó ná 10 % de cheann amháin nó níos mó de na miotail airgead, copar, biosmat, sinc, nó indiam
not more than 10 % of one or more metals of silver, copper, bismuth, zinc, or indium
Beirilliam, cróimiam, gearmáiniam, vanaidiam, gailliam, haifniam, indiam, niaibiam (colaimbiam), réiniam agus tailliam, agus earraí as na miotail sin, lena n-áirítear fuíoll agus dramhaíl
Beryllium, chromium, germanium, vanadium, gallium, hafnium, indium, niobium (columbium), rhenium and thallium, and articles of these metals, including waste and scrap
a. Comhdhúile orgáno-mhiotalacha d’alúnanam, de ghailliam nó d’indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
a. Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
a.Comhdhúile orgáno-mhiotalacha d’alúnanam, de ghailliam nó d’indiam, a bhfuil íonacht (íonacht an mhiotail) acu ar fearr í ná 99,999 %;
a.Organo-metallic compounds of aluminium, gallium or indium, having a purity (metal basis) better than 99,999 %;
e.Niabáit indiam luaidhe/niabáit mhaignéisiam luaidhe/tíonánáit luaidhe (i.e., Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, nó PINPMNPT) criostail aonair phísileictreacha arna bhfás ó thuaslagán soladach;
e.Lead-indium-niobate/lead-magnesium niobate/lead-titanate (i.e., Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3, or PIN-PMN-PT) piezoelectric single crystals grown from solid solution;
ar a bhfuil bratú indiam-stáin-oscaíde ag a bhfuil friotaíocht 80 Ω nó níos mó, ach nach bhfuil níos mó ná 160 Ω ar thaobh amháin,
an indium-tin-oxide coating with a resistance of 80 Ω or more, but not more than 160 Ω on one side,
ar a bhfuil bratú indiam-stán-oscaíde ag a bhfuil friotaíocht 80 Ω nó níos mó, ach nach bhfuil níos mó ná 160 Ω ar thaobh amháin,
an indium-tin-oxide coating with a resistance of 80 Ω or more, but not more than 160 Ω on one side,
ag a bhfuil ciseal éighníomhaithe dé-ocsaíde sileacain (SiO2) idir ciseal indiam-stán-ocsaíde agus dromchla gloine, nó nach bhfuil an méid sin aige
with or without a passivation layer of silicon dioxide (SiO2) between indium-tin-oxide layer and glass surface,
Imoibreoirí don Deascadh Gaile trí Phróiseas Ceimiceach Orgánaimhiotalach (MOCVD), atá deartha le haghaidh fás eipealuadrach leathsheoltach cumaisc aon ábhair a bhfuil dhá cheann nó níos mó de na dúile seo a leanas iontu: alúmanam, gailliam, indiam, arsanaic, fosfar, antamóin, nó nítrigin;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
ar a bhfuil bratú indiam-stán oscaíde ag a bhfuil friotaíocht 80 Ω nó níos mó, ach nach bhfuil níos mó ná 160 Ω ar thaobh amháin,
an indium-tin-oxide coating with a resistance of 80 Ω or more, but not more than 160 Ω on one side,
ag a bhfuil ciseal éighníomhaithe dé-ocsaíde sileacain (SiO2) idir ciseal indiam-stán ocsaíde agus dromchla gloine, nó nach bhfuil an méid sin aige
with or without a passivation layer of silicon dioxide (SiO2) between indium-tin-oxide layer and glass surface,
Imoibreoirí don Deascadh Gaile trí Phróiseas Ceimiceach Orgánaimhiotalach (MOCVD), atá deartha le haghaidh fás eipealuadrach leathsheoltach cumaisc aon ábhair a bhfuil dhá cheann nó níos mó de na dúile seo a leanas iontu: alúmanam, gailliam, indiam, arsanaic, fosfar, antamóin, nó nítrigin;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Beirilliam, cróimiam, haifniam, réiniam, tailliam, caidmiam, gearmáiniam, vanaidiam, gailliam, indiam agus niaibiam (colaimbiam), agus earraí atá déanta as na miotail sin, lena n-áirítear fuíoll agus dramhaíl
Beryllium, chromium, hafnium, rhenium, thallium, cadmium, germanium, vanadium, gallium, indium and niobium (columbium), and articles of these metals, including waste and scrap
ar a bhfuil bratú indiam-stán-oscaíde ag a bhfuil friotaíocht 80 Ω nó níos mó, ach nach bhfuil níos mó ná 160 Ω ar thaobh amháin,
an indium-tin-oxide coating with a resistance of 80 Ω or more, but not more than 160 Ω on one side,
ag a bhfuil ciseal éighníomhaithe dé-ocsaíde sileacain (SiO2) idir ciseal indiam-stán-ocsaíde agus dromchla gloine, nó nach bhfuil an méid sin aige
with or without a passivation layer of silicon dioxide (SiO2) between indium-tin-oxide layer and glass surface,
Imoibreoirí don Deascadh Gaile trí Phróiseas Ceimiceach Orgánaimhiotalach (MOCVD), atá deartha le haghaidh fás eipealuadrach leathsheoltach cumaisc aon ábhair a bhfuil dhá cheann nó níos mó de na dúile seo a leanas iontu: alúmanam, gailliam, indiam, arsanaic, fosfar, antamóin, nó nítrigin;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Imoibreoirí don Deascadh Gaile trí Phróiseas Ceimiceach Orgánaimhiotalach (MOCVD), atá deartha le haghaidh fás eipealuadrach leathsheoltach cumaisc aon ábhair a bhfuil dhá cheann nó níos mó de na dúile seo a leanas iontu: alúmanam, gailliam, indiam, arsanaic, fosfar, antamóin, nó nítrigin;
Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) reactors designed for compound semiconductor epitaxial growth of material having two or more of the following elements: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphorus, antimony, or nitrogen;
Beirilliam, cróimiam, haifniam, réiniam, tailliam, caidmiam, gearmáiniam, vanaidiam, gailliam, indiam agus niaibiam (colaimbiam), agus earraí atá déanta as na miotail sin, lena n-áirítear fuíoll agus dramhaíl
Beryllium, chromium, hafnium, rhenium, thallium, cadmium, germanium, vanadium, gallium, indium and niobium (columbium), and articles of these metals, including waste and scrap
Beirilliam, cróimiam, gearmáiniam, vanaidiam, gailliam, haifniam, indiam, niaibiam (colaimbiam), réiniam agus tailliam, agus earraí as na miotail sin, lena n-áirítear fuíoll agus dramhaíl
Beryllium, chromium, germanium, vanadium, gallium, hafnium, indium, niobium (columbium), rhenium and thallium, and articles of these metals, including waste and scrap
Beirilliam, cróimiam, gearmáiniam, vanaidiam, gailliam, haifniam, indiam, niaibiam (colaimbiam), réiniam agus tailliam, agus earraí as na miotail sin, lena n-áirítear fuíoll agus dramhaíl
Beryllium, chromium, germanium, vanadium, gallium, hafnium, indium, niobium (columbium), rhenium and thallium, and articles of these metals, including waste and scrap:
ar a bhfuil bratú indiam-stán-ocsaíde ag a bhfuil friotaíocht 80 Ω nó níos mó, ach nach bhfuil níos mó ná 160 Ω ar thaobh amháin,
an indium-tin-oxide coating with a resistance of 80 Ω or more, but not more than 160 Ω on one side,
ag a bhfuil ciseal éighníomhaithe dé-ocsaíde sileacain (SiO2) idir ciseal indiam-stán-ocsaíde agus dromchla gloine, nó nach bhfuil an méid sin aige
with or without a passivation layer of silicon dioxide (SiO2) between indium-tin-oxide layer and glass surface,