“Foshraitheanna” atá sonraithe in 3C005, a bhfuil ar a laghad sraith eipealuadrach amháin iontu de chairbíd shileacain, de nítríd ghailliam, de nítríd alúmanaim, nó de nítríd ghailliam alúmanaim.
“Substrates” specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
3C006 "Foshraitheanna" atá sonraithe in 3C005, a bhfuil ar a laghad sraith eipealuadrach amháin iontu de chairbíd shileacain, de nítríd ghailliam, de nítríd alúmanaim, nó de nítríd ghailliam alúmanaim.
3C006 "Substrates" specified in 3C005 With at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
3C006 Ábhair, nach bhfuil sonraithe in 3C001, ina bhfuil ‘foshraith’ atá sonraithe in 3C005 a bhfuil ar a laghad aon chiseal eipeatacsach amháin de chairbíd sileacain, de nítríd ghailliam, de nítríd alúmanaim nó de nítríd ghailliam alúmanaim aici.
3C006 Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Ábhair, nach bhfuil sonraithe in 3C001, ina bhfuil ‘foshraith’ atá sonraithe in 3C005 a bhfuil ar a laghad aon chiseal eipeatacsach amháin de chairbíd sileacain, de nítríd ghailliam, de nítríd alúmanaim nó de nítríd ghailliam alúmanaim aici.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
Ní rialaítear le 3C001.d. "foshraith" ag a bhfuil ceann amháin nó níos mó de chisil eipealuadracha P-chineáil de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP nó InGaAlP, beag beann ar sheicheamh na ndúl ach amháin i gcás ina bhfuil an ciseal eipealuadrach P-chineáil idir cisil Nchineáil.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Ní rialaítear le 3C001.d. ‘foshraith’ ag a bhfuil ceann amháin nó níos mó de chisil eipealuadracha P-chineáil de Gan, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nó InGaAlP, neamhspleách ar sheicheamh na ndúl, ach amháin más rud é go bhfuil an ciseal eipealuadrach P-chineálach idir cisil N-chineálacha.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Ní rialaítear le 3C001.d. ‘foshraith’ ag a bhfuil ceann amháin nó níos mó de chisil eipealuadracha P-chineáil de Gan, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nó InGaAlP, neamhspleách ar sheicheamh na ndúl, ach amháin más rud é go bhfuil an ciseal eipealuadrach P-chineálach idir cisil N-chineálacha.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Ní rialaítear le 3C001.d. ‘foshraith’ ag a bhfuil ceann amháin nó níos mó de chisil eipealuadracha P-chineáil de Gan, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nó InGaAlP, neamhspleách ar sheicheamh na ndúl, ach amháin más rud é go bhfuil an ciseal eipealuadrach P-chineálach idir cisil N-chineálacha.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Ábhair, nach bhfuil sonraithe in 3C001, ina bhfuil ‘foshraith’ atá sonraithe in 3C005 a bhfuil ar a laghad aon chiseal eipeatacsach amháin de chairbíd sileacain (SiC), de nítríd ghailliam (GaN), de nítríd alúmanaim (AIN) nó de nítríd ghailliam alúmanaim (AlGaN), d’ocsaíd gailliam (Ga2O3) nó diamant aici.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) or diamond.
Ní rialaítear le 3C001.d. ‘foshraith’ ag a bhfuil ceann amháin nó níos mó de chisil eipealuadracha P-chineáil de Gan, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP nó InGaAlP, neamhspleách ar sheicheamh na ndúl, ach amháin más rud é go bhfuil an ciseal eipealuadrach P-chineálach idir cisil N-chineálacha.
3C001.d. does not control a "substrate" having one or more P-type epitaxial layers of GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP or InGaAlP, independent of the sequence of the elements, except if the P-type epitaxial layer is between N-type layers.
Ábhair, nach bhfuil sonraithe in 3C001, ina bhfuil ‘foshraith’ atá sonraithe in 3C005 a bhfuil ar a laghad aon chiseal eipeatacsach amháin de chairbíd sileacain (SiC), de nítríd ghailliam (GaN), de nítríd alúmanaim (AIN) nó de nítríd ghailliam alúmanaim (AlGaN), d’ocsaíd gailliam (Ga2O3) nó diamant aici.
Materials, not specified in 3C001, consisting of a "substrate" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN), aluminium gallium nitride (AlGaN), gallium oxide (Ga2O3) or diamond.