INDUSTRY|electronics and electrical engineering · INDUSTRY|iron, steel and other metal industries
- deascadh gaile ceimicí plasmaileasaithe Tagairt Faomhadh an téarma seo mar chuid de Thionscadal Lex
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- Plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung | Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung | Plasmaunterstütztes CVD-Verfahren | Plasmaangeregtes chemisches Gasphasen-Abscheideverfahren | Plasmaunterstützte CVD-Abscheidung | PECVD-Verfahren | PECVD
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- Sainmhíniú Prozess, der Plasmen verwendet, um eine chemische Reaktion aufrecht zu erhalten, die auf einem Substrat zur Bildung einer dünnen Schicht führt Tagairt Angelehnt an: Maximilian Paul Baier: Plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung (PE-CVD) von Multifunktionsschichten aus dem Precursorensystem Hexamethyldisiloxan / Sauerstoff. Universität Stuttgart: 2016, S.23, http://elib.uni-stuttgart.de/bitstream/11682/8789/1/Diss_Baier_2016_03_03.pdf (13.1.2017)
- Nóta Es handelt sich um eine große Gruppe von Prozessen, die sich in ihren Parametern, ihrer räumlichen Ausdehnung und ihren Resultaten erheblich unterscheiden. Dieser Prozess wird beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen (Transistoren, Dioden, integrierte Schaltungen) oder wellenoptischen Komponenten (LASER, LEDs, Bragg-Spiegel) verwendet
- plasma-enhanced CVD | plasma-enhanced chemical vapour deposition | plasma enhanced chemical vapor deposition | PECVD
- en
- Sainmhíniú process used to deposit thin films from a gas state (vapor) to a solid state on a substrate Tagairt Wikipedia > Plasma-enhanced chemical vapor deposition, http://en.wikipedia.org/wiki/Plasma-enhanced_chemical_vapor_deposition [12.9.2014]
- Nóta See also: 'chemical vapour deposition', IATE:1756246